IRLR2705TRPBF IR N沟道场效应管28A 55V

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IRLR2705TRPBF

产品型号	IRLR2705TRPBF
品牌	IR
封装	TO-252
价格	电询
描述	N沟道场效应管28A 55V
查看资料	IRLR2705TRPBF
购买IRLR2705TRPBF

产品说明

国际整流器公司的第五代HEXFETs采用先进的实现最低导通电阻的工艺技术硅面积。这一优势与快速切换速度和 HEXFET功率MOSFETs众所周知的加固器件设计，为设计者提供了一种非常有效的装置各种应用。 D-PAK设计用于使用汽相、红外或波峰焊技术。直铅版(IRFU系列)是为通孔安装应用。功耗高达1.5瓦在典型的表面贴装应用中是可能的。

商品目录场效应管(MOSFET)

类型 1个N沟道

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流(Id) 28A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@17A,10V

功率(Pd) 68W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs) 25nC@5V

输入电容(Ciss@Vds) 880pF@25V

反向传输电容(Crss@Vds) -

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

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