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产品型号 | IRLR2705TRPBF | 品牌 | IR | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管28A 55V | 查看资料 | IRLR2705TRPBF | |
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产品说明
国际整流器公司的第五代HEXFETs采用先进的 实现最低导通电阻的工艺技术 硅面积。这一优势与快速切换速度和 HEXFET功率MOSFETs众所周知的加固器件设计, 为设计者提供了一种非常有效的装置 各种应用。 D-PAK设计用于使用汽相、红外或 波峰焊技术。直铅版(IRFU系列)是为 通孔安装应用。功耗高达1.5瓦 在典型的表面贴装应用中是可能的。
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个N沟道漏源电压(Vdss) 55V连续漏极电流(Id) 28A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@17A,10V功率(Pd) 68W阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs) 25nC@5V输入电容(Ciss@Vds) 880pF@25V反向传输电容(Crss@Vds) -工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRF3710STRL | Infineon/IR | TO-263 | N沟道场效应管57A100V | | | | | IRF3710STRL | Infineon/IR | TO-263 | N沟道场效应管57A100V | | | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | 100V,23mO,57A,200W N沟道场效应管 | | | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | 56A 75V N沟道场效应管MOSFET | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | |
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