产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 343 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 108 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 355 ns
正向跨导 - 最小值: 286 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 375 W
上升时间: 827 ns
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 97 ns
典型接通延迟时间: 65 ns
单位重量: 6 g