IRF540N参数:100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管
产品种类: MOSFET
制造商: IR
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 47.3 nC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 140 W
工厂包装数量: 1200
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 6 g