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 | 型号 GS8210 |  | 型号 AP2204K-5.0TRG1 |  | 型号 HY301A |  | 型号 STM32F072RBT6 |  | 型号 SN74LVC2G14DBVR |  | 型号 SGR3053DD |  | 型号 SGR7053DD |  | 型号 HC32F460JEUA-QFN48TR |
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产品型号 | IRF3710STRL | 品牌 | Infineon/IR | 封装 | TO-263 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管57A100V | 查看资料 | IRF3710STRL | |
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产品说明
制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 57 A Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 86.7 nC 配置: Single Pd-功率耗散: 200 W 封装: Tube 高度: 15.65 mm 长度: 10 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 4.4 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 零件号别名: SP001551058 单位重量: 6 g
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