制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 63 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.49 mm
长度: 10.41 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 5.8 S
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: SIHF740-E3
单位重量: 6 g