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产品型号 | IRFZ44N | 品牌 | IR | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | IRFZ44N | |
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产品说明
制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息 商标: Vishay Semiconductors 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最大工作温度: + 175 C 技术: Si 封装: Tube 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 92 ns 最小工作温度: - 55 C Pd-功率耗散: 150 W 上升时间: 110 ns 系列: IRF/SIHFZ44 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 45 ns 典型接通延迟时间: 14 ns 单位重量: 6 g
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