制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 115 nC
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 50 W
上升时间: 55 ns
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 110 ns