TK10A80E 10A800V N沟道MOS场效应管MOSFETs
1.应用
•开关电压调节器
2.特点
(1) 低漏源导通电阻:RDS(开)=0.7Ω (典型)
(2) 低泄漏电流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=640 V)
(3) 增强模式:Vth=2.5至4.0 V(VDS=10 V,ID=1 mA)
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