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HYG060N08NS1D
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产品型号
HYG060N08NS1D
品牌
HUAYI(华羿微)
封装
TO-252
价格
电询
描述
N沟道场效应管80A80V
查看资料
HYG060N08NS1D
购买HYG060N08NS1D
产品说明
商品目录
场效应管(MOSFET)
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
80A
功率(Pd)
75W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
5.7mΩ@10V,40A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
48nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.96nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)
60pF@25V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
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