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HYG022N10NS1TA
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产品型号
HYG022N10NS1TA
品牌
HUAYI(华羿微)
封装
SMD-TOLL
价格
电询
描述
N沟道场效应管100V 249A
查看资料
HYG022N10NS1TA
购买HYG022N10NS1TA
产品说明
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 249A
功率(Pd) 312W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.2mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 160.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 9.026nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 186.6pF@25V
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
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