FQPF12N60C参数：12A,600V,N沟道场效应管
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 13 S
高度: 9.19 mm
长度: 10.16 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 51 W
上升时间: 85 ns
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FQPF12N60C_NL
单位重量: 2.270 g