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产品型号 | FQB20N06L | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-263 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管20A60V | 查看资料 | FQB20N06L | |
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产品说明
安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:21 A Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 2.5 W 通道模式: Enhancement 配置: Single 高度: 2.39 mm 长度: 6.73 mm 系列: QFET 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 6.22 mm 下降时间: 25 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 45 ns 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 20 ns 典型接通延迟时间: 5 ns 单位重量: 330 mg
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