FDPF12N60NZ参数：12A,600V,N沟道场效应管
FDPF12N60NZ
N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ
UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性
RDS(on) = 530mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A栅极电荷低（典型值：26nC)
低 Crss（典型值12pF)
100% 经过雪崩击穿测试
提高了 dv/dt 性能
改进了 ESD 防护能力
符合 RoHS 标准