XP152A12COMR P通道功率MOS FET

常规描述
XP152A12C0MR是具有低导通状态低导通电阻的P通道功率MOS FET：Rds（on）=0.3Ω（Vgs = -4.5V）电阻和超高速开关特性。 Rds（on）=0.5Ω（Vgs = -2.5V）由于可能进行高速开关，因此IC可以高效地进行超高速开关设置，从而节省能源。
闸极保护二极管按顺序内置于反静态装置，闸极保护二极管是内置的。工作电压：-2.5V，小巧的SOT-23封装可实现高密度安装。高密度安装：SOT-23

应用
DMOS结构
笔记本
PC

功能
低通态电阻：0.3Ω（最大）
蜂窝电话和便携式电话
超高速开关板上电源门保护二极管内置
锂离子电池系统
SOT-23包装