4A、650V N沟道增强型场效应管
描述 WGD4N65SE N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特点 4A,650V,RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv/dt 能力
电话TEL(传真FAX):0755-88601081,邮件Email:icdemi@icdemi.com,
粤ICP备17146756号粤公网安备 44030402002389号