30V N沟道MOSFET

特点：

□ 低固有电容。

□ 出色的开关特性。

□ 扩展的安全操作区域。

□ 无与伦比的栅极电荷：Qg=nC（典型值）。

□ BVDSS=30V，I D=

□ RDS（开）：mΩ VG=10V时的（最大）

□ 100%雪崩测试