3V，128M位[x 1/x 2/x 4]CMOS MXSMIO®（串行多输入/输出）闪存
1.特点
总则
•支持串行外围接口——模式0和模式3
•单电源操作
-2.7至3.6伏，用于读取、擦除和编程操作
•128Mb:134217228 x 1位结构或67108864 x 2位（两个I/O模式）结构或33554432 x 4位（四个
I/O模式）结构
•协议支持
-单输入/输出、双输入/输出和四输入/输出
•从-1V到Vcc+1V，闩锁保护至100mA
•SPI模式的快速读取
-支持所有协议的时钟频率高达133MHz
-支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令。
-用于快速读取操作的可配置伪循环数
•提供四外设接口（QPI）
•每个4K字节的相等扇区，或每个32K字节的相等块，或每个64K字节的相同块
-任何块都可以单独擦除
•编程：
-256字节页面缓冲区
-四输入/输出页面程序（4PP），以提高程序性能
•典型的100000次擦除/编程周期
•20年数据保留期
软件功能
•输入数据格式
-1字节命令代码
•高级安全功能
-块锁定保护
BP0-BP3和T/B状态位定义了要针对编程和擦除指令进行保护的区域的大小
-高级扇区保护功能（固态和密码保护）
•额外的4K位安全OTP
-功能唯一标识符
-工厂锁定可识别，客户锁定
•命令复位
•编程/擦除挂起和恢复操作
•电子识别
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
-用于1字节设备ID的RES命令
-用于1字节制造商ID和1字节设备ID的REMS命令
•支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
硬件功能
•SCLK输入
-串行时钟输入
•SI/SIO0
-串行数据输入或串行数据输入/输出，用于2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式
粤公网安备 44030402002389号