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产品型号
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品牌
WG
封装
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描述
N沟道8A600V场效应管
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WGP8N60
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产品说明
WGP8N60
600V N沟道MOSFET
特征
低固有电容
出色的开关特性
扩展的安全操作区域
无与伦比的栅极电荷:Qg = 40nC(Typ。)
BVDSS = 600V,ID = 7.5A
RDS(on):1.2Ω(最大)@ VG = 10V
经过100%雪崩测试
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