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产品型号 | FP50R12KT3 | 品牌 | infineon | 封装 | DIP | 价格 | 电询 | 描述 | IGBT模块50A1200V | 查看资料 | FP50R12KT3 | |
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产品说明
FP50R12KT3参数:50A,1200V,IGBT模块 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 在25 C的连续集电极电流: 75 A 封装 / 箱体: Econo 3 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 封装: Tray 高度: 17 mm 长度: 122 mm 宽度: 62 mm 商标: Infineon Technologies 安装风格: Screw 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 产品类型: IGBT Modules 工厂包装数量: 10 子类别: IGBTs 零件号别名: FP50R12KT3BOSA1 SP000100445 单位重量: 300 g
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