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产品型号 | AO3400 | 品牌 | AOS | 封装 | SOT-23 | 价格 | 电询 | 描述 | AOS系列场效应管5.7A30V | 查看资料 | AO3400 | |
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产品说明
属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 5.7A 漏源电压(Vdss) 30V 栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻 26.5 mΩ @ 5.7A,10V 类型 N 沟道 最大功率耗散(Ta) 1.4W 查看类似商品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26.5 毫欧 @ 5.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L Package Configuration Bvds (v) Vgs (v) ID(A) 25℃ Vth(v)Max Rds(on) Max(mΩ)/25℃ @Vgs= EDS Protect 10V 4.5V 2.5V 1.8V S0T23 Single N 30 ±12 5.5 1.45 32 35 52
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