WGD35P06 WG P沟道MOS场效应管35A60V

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WGD35P06

产品型号	WGD35P06
品牌	WG
封装	TO-252
价格	电询
描述	P沟道MOS场效应管35A60V
查看资料	WGD35P06
购买WGD35P06

产品说明

描述：

该 P 沟道 MOSFET 采用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的出色 RDS(on)。它可用于多种应用。

特征：

1) VDS=-60V,ID=-35A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V

2) 低栅极电荷。

3) 提供绿色设备。

4) 用于超 RDS(ON) 的先进高单元密度沟槽技术。

5) 优秀的封装，良好的散热。

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