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W20NM50
产品型号W20NM50
品牌ST
封装TO-247
价格电询
描述N沟道场效应管
查看资料W20NM50

产品说明


产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 214 W
上升时间: 16 ns
系列: STW20NM50
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型接通延迟时间: 24 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 38 g

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