制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: 2-21F1A-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 230 V
集电极—基极电压 VCBO: - 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 3 V
最大直流电集电极电流: - 15 A
增益带宽产品fT: 30 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: TTA1943
直流电流增益 hFE 最大值: 160
封装: Bulk
商标: Toshiba
集电极连续电流: - 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
Pd-功率耗散: 150 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
单位重量: 5.500 g