制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Toshiba
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 7 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 60 W
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 200
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 35 ns