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| 产品型号 | Si7288DP | | 品牌 | VISHAY | | 封装 | PowerPAK-SO-8 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 双N沟道场效应管20A40V | | 查看资料 | Si7288DP | |
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产品说明
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 15.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
系列: SI7
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 39 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
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粤公网安备 44030402002389号