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产品说明
特点: 支持273 个厂商,73377 颗可编程器件。 读写程速度无与伦比, 编程+校验一片SAMSUNG KAP21WP00M,1Gb NAND FLASH芯片测试仅须108秒,ST M29DW128G 128Mb NOR FLASH 仅需10.9秒。芯片烧写速度平均提高2~10倍。 4个独立编程模块异步工作,完全没有同步等待时间。每个模块具备144脚万能驱动电路。144脚以内同封装不同型号芯片只需一种适配器。通用适配器保证快速新器件支持。 直接支持1.2V到5V各种电压器件。 更先进的波形驱动电路保证极高的烧写成功率。 配合IC厂家认证的算法,无论是低电压器件、二手器件还是低品质器件均能保证极高的编程良品率。编程结果可选择高低双电压校验,保证结果持久稳固。 PC通过USB2.0口(高速)控制编程器, 自动检测芯片错插和管脚接触不良,避免损坏器件。 完善的过流保护功能,避免损坏编程器。 丰富的软件功能简化操作,提高效率,避免出错,对用户关怀备至。工程(Project)将用户关于对象器件的各种操作、设置,包括器件型号设定、烧写文件的调入、配置位的设定、批处理命令等保存在工程文件中,每次运行时一步进入写片操作,有效降低误操作概率。工程文件可设密码防止资料外泄。批处理(Auto)命令允许用户将擦除、查空、编程、校验、加密等常用命令序列随心所欲地组织成一步完成的单一命令。量产模式下一旦芯片正确插入插座CPU即自动启动批处理命令,无须人工按键。标准的序列号生成和插入功能并可接受用户定制特殊序列号生成器。 软件支持WINDOWS XP/Vista/Win7操作系统。 备注:①支持器件将不少于SUPERPRO/3000U. 芯片型号 编程+校验 (秒) 与SP3000U比较 类型 K8P6415UQB 9.1(P)+2.3(V)= 11.4(s) 25.1(P)+16.8(V)=41.9(s) 64Mb NOR FLASH AM29DL640G 20.5(P)+2.3(V) =22.8(s) 38.5(P)+11.8(V)=50.3(s) 64Mb NOR FLASH K9F1208U0B 35.2(P)+32.2(V)=67.4 188.6(P)+179.2(V)=367.8 512Mb NAND FLASH KAP21WP00M 53.2(p)+54.8(V)=108 不支持 1Gb NAND FLASH K9F1G08U0A 60.4(P)+56.1(V)=116.5 362.3(P)+359.3(v)=721.6 1Gb NAND FLASH AT28C64B 0.8(P)+0.1(V)= 0.9(s) 1.2(P)+0.8(V)= 2.0(s) 64Kb EEPROM 24AA128 2.7(P)+1.8(V)= 4.5(s) 5.0(P)+4.0(V)= 9.0(s) 128Kb 串行EEPROM QB25F640S33B60 29.0(P)+14.4(V)= 43.4(s) 55.2(P)+41.4(V)= 96.6(s) 64Mb 串行EEPROM AT89C55WD 2.5(P)+0.4(V)=2.9(s) 3.3(P)+1.0(V)=4.3(s) 20KB FLASH MCU ST72F324BK4B5 2.6(P)+1.3(V)=3.9(s) 18(P)+7(V)=25(s) 32KB FLASH MCU MB89F538 1.21(P)+0.93(V)=2.14(s) 12(P)+6(V)=18(s) 32KB FLASH MCU Upd78F9234 2.6(P)+1.3(V)=3.9(s) 38(P)+16(V)=54(s) 16KB FLASH MCU
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