制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: - 36.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 106 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 113.6 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.38 mm

长度: 6.73 mm

系列: SUD

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 100 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 2000