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产品型号 | STW20NM50 | 品牌 | ST | 封装 | TO-247 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | STW20NM50 | |
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产品说明
产品种类: MOSFET 制造商: STMicroelectronics RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最大工作温度: + 150 C 封装: Tube 通道模式: Enhancement 商标: STMicroelectronics 配置: Single 下降时间: 8.5 ns 高度: 20.15 mm 长度: 15.75 mm 最小工作温度: - 65 C Pd-功率耗散: 214 W 上升时间: 16 ns 系列: STW20NM50 工厂包装数量: 30 晶体管类型: 1 N-Channel 典型接通延迟时间: 24 ns 宽度: 5.15 mm 单位重量: 38 g
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