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| 型号 XL1509-12E1 | | 型号 FQA11N90C | | 型号 TEA2016AAT/1J | | 型号 L7805CV-DG | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT |
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产品说明
STP60NF06参数:60A,60V,N沟道场效应管MOSFETS 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: STMicroelectronics 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms 配置: Single 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 150 W 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 封装: Tube 通道模式: Enhancement 下降时间: 20 ns 正向跨导 - 最小值: 50 S 最小工作温度: - 55 C 上升时间: 108 ns 系列: STP60NF06 工厂包装数量: 1000 典型关闭延迟时间: 43 ns
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