产品说明
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 650 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
下降时间: 7.5 ns
Pd-功率耗散: 130 W
上升时间: 7.5 ns
系列: MDmesh M5
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 330 mg