SPW47N60C3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 47 A, Vds=650 V, 3针 TO-247封装
Infineon 的该系列 MOSFET 晶体管组合了快速切换超结 MOSFET 的所有优点，易于使用。 如低区域特定通态电阻和输出电容中存储的能量减少，500V CoolMOS™ CE 系列提供高主体二极管坚固性，实现极低的传导和切换损耗，使切换应用中更高效、更紧凑、更轻且更凉爽。

输出电容中存储的能量减少
高主体二极管坚固性 (E oss)
反向恢复充电减少 (Q rr)
门充电减少 (Q g)
切换行为易于控制
通道类型 N
最大连续漏极电流 47 A
最大漏源电压 650 V
最大漏源电阻值 0.07 Ω
最大栅阈值电压 3.9V
最小栅阈值电压 2.1V
最大栅源电压 ±20 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 415 W
配置 单
每片芯片元件数目 1
宽度 5.3mm
尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm
典型接通延迟时间 18 ns
长度 15.9mm
最高工作温度 +150 °C
高度 20.95mm
典型关断延迟时间 111 ns
典型输入电容值@Vds 6800 pF@ 25 V
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 252 nC@ 10 V