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2SK2968
STC15F100-35I-SOP8
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AD8561ARZ-REEL7
1812L110/33MR
MQ135
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2MBI75U4A-120
680UF/100V高频电解电容
RA30H2127M-101

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厂商MITSUBISHI
封装H2S
批号10+
价格电询
起售数量10个/盒
描述射频功率放大模块
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产品说明
RA30H2127M:210-270MHz 30W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO,
DESCRIPTION The RA30H2127M is a 30-watt RF MOSFET Amplifier Module for 12.5-volt mobile radios that operate in the 210- to 270-MHz range. The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate voltage (VGG=0V), only a small leakage current flows into the drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output power and drain current increase as the gate voltage increases.  With a gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 4.5V (typical) and 5V (maximum). At VGG=5V, the typical gate current is 1 mA. This module is designed for non-linear FM modulation, but may also be used for linear modulation by setting the drain quiescent current with the gate voltage and controlling the output power with the input power.
FEATURES: Enhancement-Mode MOSFET Transistors (IDD=0  @ VDD=12.5V, VGG=0V) ; Pout>30W, ηT>40%  @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW ; Broadband Frequency Range: 210-270MHz ; Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=5V ; Module Size: 66 x 21 x 9.88 mm ; Linear operation is possible by setting the quiescent drain current with the gate voltage and controlling the output power with the input power
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