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SN74HC259N
A710GFT
IRG4PH50U
MP2105DJ-LF-Z
330UF/63V电解
PM50RSA120
DSE13-100A
ADM202AARNZ
SN74ACT257ADR
RT9013-33GB
LTC6401CUD-14#PBF/IUD
LTC6930CMS8-8.19/IMS8/HMS8#PBF
LT1027CS8-5
EE-SX1101
1.5KE24CA
RA08N1317M/M67798LA

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厂商Mitsubishi
封装H46S
批号10+
价格电询
起售数量10个/盒
描述射频放大模块
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产品说明
RA08N1317M 135-175MHz 8W 9.6V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO,
DESCRIPTION The RA08N1317M is a 8-watt RF MOSFET Amplifier Module for 9.6-volt portable radios that operate in the 135- to 175-MHz range. The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate voltage (VGG=0V), only a small leakage current flows into the drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output power and drain current increase as the gate voltage increases.  With a gate voltage around 2.5V (minimum), output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 3V (typical) and 3.5V (maximum). At VGG=3.5V, the typical gate current is 1 mA. This module is designed for non-linear FM modulation, but may also be used for linear modulation by setting the drain quiescent current with the gate voltage and controlling the output power with the input power.
FEATURES: ?Enhancement-Mode MOSFET Transistors (IDD0  @ VDD=9.6V, VGG=0V) ?Pout>8W  @ VDD=9.6V, VGG=3.5V, Pin=20mW ?T>50%  @ Pout=8W (VGG control), VDD=9.6V, Pin=20mW ?Broadband Frequency Range: 135-175MHz ?Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=3.5V ?Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm ?Linear operation is possible by setting the quiescent drain current with the gate voltage and controlling the output power with the input power
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