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产品型号 | PS07N06F | 品牌 | PS | 封装 | TO-220F | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管7A600V | 查看资料 | PS07N06F | |
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产品说明
PS07N06F参数:7A,600V,N沟道场效应管 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 7 A Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 配置: Single Pd-功率耗散: 147 W 通道模式: Enhancement 封装: Tube 高度: 16.3 mm 长度: 10.67 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 宽度: 4.7 mm 正向跨导 - 最小值: 8.2 S 下降时间: 85 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 80 ns 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 125 ns 典型接通延迟时间: 30 ns 单位重量: 1.438 g
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