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| 型号 XL1509-12E1 | | 型号 FQA11N90C | | 型号 TEA2016AAT/1J | | 型号 L7805CV-DG | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT |
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产品型号 | P80NF70 | 品牌 | ST | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管98A 68V电动车专用 | 查看资料 | P80NF70 | |
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产品说明
P80NF70参数:80A,70V,电动车专用 产品种类: MOSFET 制造商: STMicroelectronics RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 68 V Id-连续漏极电流: 98 A Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 75 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Tube 商标: STMicroelectronics 下降时间: 75 ns 正向跨导 - 最小值: 60 S Pd-功率耗散: 190 W 上升时间: 60 ns 系列: N-channel STripFET 工厂包装数量: 1000 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 90 ns 典型接通延迟时间: 17 ns 单位重量: 330 mg
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