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NTR4501NT1G
产品型号NTR4501NT1G
品牌ON
封装SOT-23
价格电询
描述N沟道场效应管
查看资料NTR4501NT1G

产品说明


制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: ON Semiconductor
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 9 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns
系列: NTR4501
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 12 ns

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