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产品型号 | NTR4501NT1G | 品牌 | ON | 封装 | SOT-23 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | NTR4501NT1G | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: ON Semiconductor Id-连续漏极电流: 3.2 A Vds-漏源极击穿电压: 20 V Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.25 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 封装: Reel 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 12 ns 正向跨导 - 最小值: 9 S 最小工作温度: - 55 C 上升时间: 12 ns 系列: NTR4501 工厂包装数量: 3000 典型关闭延迟时间: 12 ns
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