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| 型号 OH3144 | | 型号 OH44E | | 型号 XL1509-12E1 | | 型号 FQA11N90C | | 型号 TEA2016AAT/1J | | 型号 L7805CV-DG | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 |
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产品说明
MJ15003G 制造商: ON Semiconductor 产品种类: 两极晶体管 - BJT RoHS: 符合RoHS 详细信息 配置: Single 晶体管极性: NPN 集电极—基极电压 VCBO: 140 V 集电极—发射极最大电压 VCEO: 140 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 集电极—射极饱和电压: 1 V 最大直流电集电极电流: 20 A 增益带宽产品fT: 2 MHz 直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 最大工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-204-2 (TO-3) 集电极连续电流: 20 A 最大功率耗散: 250 W 最小工作温度: - 65 C 封装: Tray 工厂包装数量: 100 --------------------- MJ15004G 制造商: ON Semiconductor 产品种类: 两极晶体管 - BJT RoHS: 符合RoHS 详细信息 配置: Single 晶体管极性: PNP 集电极—基极电压 VCBO: 140 V 集电极—发射极最大电压 VCEO: 140 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 集电极—射极饱和电压: 1 V 最大直流电集电极电流: 20 A 增益带宽产品fT: 2 MHz 直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 最大工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-204-2 (TO-3) 集电极连续电流: 20 A 最大功率耗散: 250 W 最小工作温度: - 65 C 封装: Tray 工厂包装数量: 100
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