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K25H1203  购买本产品>>

厂商infineon
封装TO-247
批号17+
价格电询
起售数量30个/管
描述IGBT管25A1200V
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产品说明
制造商: Infineon 
产品种类: IGBT 晶体管 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
封装 / 箱体: TO-247-3 
安装风格: Through Hole 
配置: Single 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 
集电极—射极饱和电压: 2.05 V 
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 
在25 C的连续集电极电流: 50 A 
Pd-功率耗散: 326 W 
最小工作温度: - 40 C 
最大工作温度: + 175 C 
系列: HighSpeed 3 
封装: Tube 
商标: Infineon Technologies  
栅极—射极漏泄电流: 600 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKW25N120H3FKSA1 IKW25N12H3XK SP000674418  
单位重量: 38 g
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