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| 型号 HY301A | | 型号 XL4015E1 | | 型号 WRB1209S-3WR2 | | 型号 WRB1205S-3WR2 | | 型号 WRB1212S-3WR2 | | 型号 ACS712ELC-20A | | 型号 ACS712ELCTR-20A-T | | 型号 LD20-23B03R2 |
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产品型号 | IXTQ96N20P | 品牌 | IXYS | 封装 | TO-3P | 价格 | 电询 | 描述 | 高速大功率N沟道场效应管96A200V | 查看资料 | IXTQ96N20P | |
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产品说明
制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 Id-连续漏极电流: 96 A Vds-漏源极击穿电压: 200 V Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 600 W 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 封装: Tube 商标: IXYS 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 30 ns 最小工作温度: - 55 C 上升时间: 30 ns 系列: IXTQ96N20 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 75 ns 单位重量: 5.500 g
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