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IRFR5505TR

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厂商IR/Infineon
封装TO-252
批号18+
价格电询
起售数量2500个/盘
描述P沟道场效应管18A55V
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产品说明
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: P-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V 
Id-连续漏极电流: - 18 A 
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: - 4 V 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 32 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
配置: Single 
Pd-功率耗散: 57 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
晶体管类型: 1 P-Channel  
类型: HEXFET Power MOSFET  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
正向跨导 - 最小值: 4.2 S  
下降时间: 16 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 28 ns  
工厂包装数量: 2000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 20 ns  
典型接通延迟时间: 12 ns  
零件号别名: SP001573294  
单位重量: 4 g
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