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产品型号 | IRFR024NPBF | 品牌 | IR | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管17A20V | 查看资料 | IRFR024NPBF | |
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产品说明
55伏单个 N通道 红外MOSFET,采用 D-Pak公司封装
优势
宽SOA的平面单元结构
为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化
符合JEDEC标准的产品鉴定
硅优化应用开关低于100千赫
工业标准表面贴装电源组件
能被波浪焊接的
指标参数
参数IRFR024N
ID(@25)°C) 最大17.0 A;17.0安
湿度敏感度1级
贴片
Ptot最大38.0 W
DPAK包(TO-252)
极性N
QG(典型值@10V)13.3 nC;13.3数控
Qgd 5.1数控
RDS(开)(@10V)最大75.0米Ω ; 75.0米Ω
RthJC最大值3.3 K/W
Tj最大175.0°C
VDS最大55.0 V
VGS(th)最小值最大值3.0 V 2.0 V 4.0 V;3.0伏2.0伏4.0伏
VGS最大20.0 V
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | 56A 75V N沟道场效应管MOSFET | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 电子镇流器调频驱动电路 | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60LC | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60LCPBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | |
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