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产品型号 | IRF9540N | 品牌 | IR | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管23A100V | 查看资料 | IRF9540N | |
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产品说明
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 64.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | 56A 75V N沟道场效应管MOSFET | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 电子镇流器调频驱动电路 | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60LC | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60LCPBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | |
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