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IRF9540N
产品型号IRF9540N
品牌IR
封装TO-220
价格电询
描述P沟道场效应管23A100V
查看资料IRF9540N

产品说明



产品种类: MOSFET


RoHS: 详细信息


技术: Si


安装风格: Through Hole


封装 / 箱体: TO-220-3


晶体管极性: P-Channel


通道数量: 1 Channel


Vds-漏源极击穿电压: 100 V


Id-连续漏极电流: 23 A


Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms


Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V


Qg-栅极电荷: 64.7 nC


最小工作温度: - 55 C


最大工作温度: + 150 C


Pd-功率耗散: 140 W


通道模式: Enhancement


封装: Tube


配置: Single


高度: 15.65 mm


长度: 10 mm


晶体管类型: 1 P-Channel


宽度: 4.4 mm


商标: Infineon Technologies


产品类型: MOSFET


工厂包装数量: 1000

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