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| 产品型号 | IRF530N | | 品牌 | IR | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管 100V,90mO,17A,79W | | 查看资料 | IRF530N | |
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产品说明
IRF530NPBF N沟道场效应管 100V,90mO,17A,79W
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 24.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
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