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FQPF8N80C
产品型号FQPF8N80C
品牌ON/FAIRCHILD
封装TO-220F
价格电询
描述N沟道场效应管8A800V
查看资料FQPF8N80C
购买FQPF8N80C

产品说明



此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。


特性


 


8A, 800V, RDS(on) = 1.55Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低（典型值：35nC)


低 Crss（典型值13pF)


100% 经过雪崩击穿测试


符合 RoHS 标准


RoHS compliant


应用


LCD 电视


LED 电视


家用音频系统组件


照明


台式计算机


AC-DC商用电源-台式计算机

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