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产品型号 | FQP2N60C | 品牌 | FAIRCHILD | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | FQP2N60C | |
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产品说明
FQP2N60C:600V,4700mO,2A,54W 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 2 A Rds On-漏源导通电阻: 4.7 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最大工作温度: + 150 C 封装: Bulk 通道模式: Enhancement 商标: Fairchild Semiconductor 配置: Single 下降时间: 28 ns 正向跨导 - 最小值: 5 S 高度: 9.4 mm 长度: 10.1 mm 最小工作温度: - 55 C Pd-功率耗散: 54 W 上升时间: 25 ns 系列: QFET 工厂包装数量: 50 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 典型关闭延迟时间: 24 ns 典型接通延迟时间: 9 ns 宽度: 4.7 mm 零件号别名: FQP2N60C_NL 单位重量: 1.800 g
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