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产品型号 | FQD20N06 | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管20A60V | 查看资料 | FQD20N06 | |
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产品说明
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 16.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: QFET
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
单位重量: 330 mg
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