最新更新
LASTER PRODUCTS
 | 型号
B5819WS(SL) |  | 型号
TD331SCANH |  | 型号
TIP122 |  | 型号
TIP122 |  | 型号
TD501DCANHE |  | 型号
TD301DCANHE |  | 型号
TC4424AVOA713 |  | 型号
SCM3728ASA |
|
|
 |
| 产品型号 | FP30R06W1E3 | | 品牌 | infineon | | 封装 | DIP | | 价格 | 电询 | | 描述 | IGBT晶体管模块37A600V | | 查看资料 | FP30R06W1E3 | |
|
产品说明
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 37 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
技术: Si
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
|
类似FP30R06W1E3产品
| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | SVFP7N70MJ | Silan | TO-251J-3L | N沟道平面高压MOS |  |  |  | | | SVFP14N65CFJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP12N65CFJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP7N65CD | Silan | TO-252-2L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP18N60FJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP14N60CFJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP12N60CFJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP10N60CAFJ | Silan | TO-220FJ-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP10N60CFJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP7N60CFJD | Silan | TO-220FJD-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP4N60CAD | Silan | TO-252-2L | N沟道平面高压MOS | | | | | | SVFP4N60CAMJ | Silan | TO-251J-3L | N沟道平面高压MOS | | | | | | FE1.1-AQFP48A | Terminus | QFP-48 | USB2.0 HUB主控IC | | | | | | HC32F460KETA-LQFP64 | HDSC华大 | LQFP64（10*10） | 32位单片机主频200MHz 内核M4 Flash 512KB | | | | | | STC8H3K64S4-45I-LQFP48 | STC | LQFP-48 | 单片机 | | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60LC | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | |
|
粤公网安备 44030402002389号