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FGH60N60SFD

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厂商Fairchild
封装TO-247
批号17+
价格电询
起售数量30个/管
描述IGBT带阻尼60A600V
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产品说明
FGH60N60SFD 600V, 60A Field S top IGBT,低饱和电压Low saturation voltage: 2.3V
制造商: ON Semiconductor 
产品种类: IGBT 晶体管 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
封装 / 箱体: TO-247-3 
安装风格: Through Hole 
配置: Single 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 
集电极—射极饱和电压: 2.2 V 
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 
在25 C的连续集电极电流: 120 A 
Pd-功率耗散: 378 W 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
系列: FGH60N60SF_F085 
封装: Tube 
集电极最大连续电流 Ic: 60 A  
商标: ON Semiconductor / Fairchild  
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA  
工厂包装数量: 450  
零件号别名: FGH60N60SFDTU_F085  
单位重量: 6.390 g
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