制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 680 mA
Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 最小值: 1.45 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 8.5 ns
系列: FDV303N
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 17 ns
零件号别名: FDV303N_NL
单位重量: 60 mg