FDP18N50/ FDPF18N50
500V N沟道MOSFET
产品特点
18A，500V，RDS（ON）=0.265Ω@ VGS=10 V
低栅极电荷（典型45 nC的）
低反向传输电容（典型25 pF的）
快速开关
100％雪崩测试
改进的dv / dt能力
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对减少通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了高能量脉冲雪崩和换向模式。这些器件非常适用于高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

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商品介绍

N沟道,500V,18A,265mΩ@10V
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属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 18A
漏源电压（Vdss） 500V
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
漏源导通电阻 265 mΩ @ 9A,10V
类型 N 沟道
最大功率耗散（Ta） 58W
查看类似商品 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：265 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2860pF @ 25V
功率 - 最大值：38.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F